随着半导体电子技术的发展，陶瓷基板和金属线路层。对于电子封装而言，大功率、小尺寸LED器件的散热要求越来越高，封装基板起着承上启下，连接内外散热通道的主要关键作用，同时兼有电互连和机械支撑等功能。因此成为LED封装散热基板材料的重要选择。
展至科技陶瓷基板在结构与制作工艺而言，陶瓷基板又是可分为高温共烧多层陶瓷基板（HTCC）、低温共烧陶瓷基板（LTCC）、厚膜陶瓷基板（TFC）、直接覆铜陶瓷基板（DBC）、直接镀铜陶瓷基板（DPC）等。
其中直接覆铜陶瓷基板和直接镀铜陶瓷基板仅有一字之差，那么这两种到底又是什么不同之处。
一、工艺不同
1. 直接覆铜陶瓷基板（DBC）：是在铜与陶瓷之间加入氧元素，在1065~1083℃温度间得到Cu-O共晶液，随后反应得到中间相（CuAIO2或CuAI2O4），从而实现Cu板和陶瓷基板化学冶金结合，最后就是通过光刻技术实现图形制备形成电路。
DBC可分为3层，中间绝缘材料是AI2O3或AIN。AI2O3的热导率通常为24W/（m-k），AIN的热导率则为170W/（m-k）。DBC基板的热膨胀系数Al2O3/AlN相类似，非常接近LED外延材料的热膨胀系数，可以显著降低芯片与基板间所产生的热应力。
2.直接镀铜陶瓷基板（DPC）：直接镀铜陶瓷基板(DPC)是将陶瓷基板做预处理清洁，利用半导体工艺在陶瓷基板上溅射铜种子层，再经曝光、显影、蚀刻、去膜等光刻工艺实现线路图案，最后再通过电镀或化学镀方式增加铜线路的厚度，移除光刻胶后即完成金属化线路制作。
二、陶瓷基板DBC和DPC工艺区别
1、直接覆铜陶瓷基板（DBC）
优点：由于铜箔具有良好的导电、导热能力，而氧化铝能有效控制Cu-Al2O3-Cu复合体的膨胀，使DBC基板具有近似氧化铝的热膨胀系数，因此，DBC具有导热性好、绝缘性强、可靠性高等优点，已广泛应用于IGBT、LD和CPV封装。特别是由于铜箔较厚（100~600μm），在IGBT和LD封装领域优势明显。
缺点：
1）制备过程利用了在高温下(1065℃)Cu与Al2O3间的共晶反应，对设备和工艺控制要求高，使基板成本偏高；
2）由于Al2O3与Cu层间容易产生微气孔，降低了产品抗热冲击性能，这些缺点成为DBC基板推广的瓶颈。
2、直接镀铜陶瓷基板（DPC）
优点：
1）低温工艺（300℃以下），完全避免了高温对材料或线路结构的不利影响，也降低了制造工艺成本；
2）采用薄膜与光刻显影技术，使基板上的金属线路更加精细（线宽尺寸20~30m，表面平整度低于0.3m，线路对准精度误差小于±1%），因此DPC基板非常适合对准精度要求较高的电子器件封装。
缺点：
1）电镀沉积铜层厚度有限，且电镀废液污染大；
2）金属层与陶瓷间的结合强度较低，产品应用时可靠性较低。