AMB活性金属钎焊载板与传统的DCB覆铜陶瓷基板相比，具有更高的可靠性、更强的力学性能、更好的绝缘性能，与芯片良好匹配的热膨胀系数。已成为第三代半导体和新型高压大功率电力电子器件的首选封装材料，有广阔的应用前景。小编主要讲述AMB陶瓷覆铜基板行业前景和发展趋势。
一、电力、电动汽车、通讯G站、高铁对AMB陶瓷基板需求增加
AMB活性金属钎焊半导体功率模块具有更高的可靠性、更强的力学性能、更好的绝缘性能和与芯片良好匹配的热膨胀系数，广泛应用于电动汽车、风力发电、高铁、5G基站等对性能要求苛刻的电力电子及大功率电子模块上。AMB活性钎焊半导体模块以及AMB陶瓷覆铜载板需求增加。未来国产将解除国际壁垒的封锁，国内半导体巨头纷纷投产AMB活性载板封装以及大功率半导体模组封装。
二、AMB活性钎焊陶瓷基板是DBC陶瓷覆铜基板升级功能性更加突出
据测试AMB氮化硅陶瓷基板热循环次数大于等于5000次；AMB氮化铝陶瓷基板大于等于1500次；AMB陶瓷覆铜基板金属结合力强，金属剥离强度最低17.16n/mm，最高28n/mm.其中AMB氮化硅陶瓷覆铜基板，铜层剥离强度平均在28N/mm以上，氧化铝AMB陶瓷覆铜基板铜层剥离强度在21n/mm以上，amb氮化铝陶瓷覆铜基板，金属剥离强度在16.78n/mm以上。DBC陶瓷覆铜基板普通金属剥离强度是8~10n/mm，AMB陶瓷覆铜基板比DBC陶瓷基板具备更好的热循环性和金属结合力更强，加上热膨胀系数与硅基板更加接近，更加复合大功率IGBT载板的导热、绝缘、应力小、可靠性强，寿命长等特点。
三、不断增大的市场应用和市场需求
目前，高铁上的大功率器件控制模块中AMB基板逐渐成为主流应用；另外，在风能、光伏、电动汽车也开始得到越来越多的应用，而在第三代半导体中，针对SiC基/GaN基三代半导体器件高频、高温、大功率的应用需求，为实现大功率电力电子器件高密度三维模块化封装，DBC基板无法满足需求，AMB更是首选的模块封装材料；另外，据产业链调研，AMB技术也将应用于激光雷达等领域，应用范围不断逐渐扩大；
AMB基板市场需求空间快速增长，据我们测算，不考虑激光雷达等其他领域，仅在IGBT和SIC领域来看，2018年斯达收入6.75亿，采购4890万的的DBC基板，2021年预计全球500亿IGBT市场，合计需求接近40亿的DBC基板；预计2025年全球1000亿IGBT/SIC市场，国内500亿。假设AMB渗透率达到50%，且价格假设是DBC的2倍（当前价格差数倍，考虑规模量产后价差缩小），则对应2025年全球和国内AMB基板分别为80亿元、40亿元。
如此可以看出，AMB陶瓷覆铜基板未来市场是一片蓝海，有着广泛的市场需求和前景。