陶瓷覆铜基板具有优异的导热性、绝缘性、机械性能，广泛应用于功率电子、电子封装、混合微电子与多芯片模块等领域，本文主要介绍了陶瓷基板的研究、生产、应用的现状及今后的发展方向。
1、 树脂复合材料和陶瓷材料的比较
PCB板基材尤其是环氧树脂，由于比较好的经济性，在整个电子市场的占据统治地位，但是许多特殊领域比如高温、线胀系数不匹配、稳定性、机械性能等方面显然不适合，即使在环氧树脂中添加大量有机溴化物也无济于事。
相对于树脂复合材料，陶瓷材料也在电子工业扮演者重要的角色，其电阻高，高频特性突出，且具有热导率高、化学稳定性佳、热稳定性和熔点高等优点。在电子线路的设计和制造非常需要这些性能，因此陶瓷被广泛用于不同厚膜、薄膜或和电路的基板材料，还可以用作绝缘体，在热性能要求苛刻的电路中做导热通路以及用来制造各种电子元件。
2、 各种陶瓷材料的比较
2.1 Al2O3
到目前为止，氧化铝基板是电子工业中最常用的基板材料，因为在机械、热、电性能上，相对于大多数其他氧化物陶瓷，强度及化学稳定性高，且原料来源丰富，价格便宜，适用于各种各样的技术制造以及不同的形状要求。
2.2 BeO
具有比金属铝还高的热导率，应用于需要高热导的场合，但温度超过300℃后迅速降低，最重要的是由于其毒性限制了自身的发展。
2.3 AlN
AlN有两个非常重要的性能优点：一个是高的热导率，一个是与Si相匹配的膨胀系数。缺点是AlN陶瓷材料本身的机械强度较差。只有对材料和工艺进行针对性深度开发，才能制造出可靠性（耐高低温冲击性能）优异的AlN陶瓷覆铜基板。目前大规模的AlN生产技术国内还是不成熟，相对于Al2O3，AlN价格相对偏高，但性价比来讲，AlN还是高出许多，因为Al2O3（96%）的导热率只有29W/M*K（25℃），而AlN热导率高达180W/M*K（25℃）。因此，对于即将兴起和快速发展的物联网、人工智能、5G、电力电子、轨道交通、新能源汽车等行业所需要的大功率电子器件，特别是大功率IGBT模块，它们需求性能更好、散热要求更高的新技术和新材料，那么具有高导热性能、高可靠性的氮化铝陶瓷基板必将成为首选材料。
3、基板种类及其特性比较
现阶段较普遍的陶瓷散热基板种类共有HTCC、LTCC、DBC、DPC、AMB五种。其中HTCC，高温共烧多层陶瓷基板，属于较早起发展的技术，但由于烧结温度较高使其电极材料的选择受限，且制作成本相对昂，这些因素促使LTCC的发展，LTCC，低温共烧多层陶瓷基板，虽然将共烧温度降至约850℃，但缺点是尺寸精确度、产品强度不易控制。而DBC与DPC则为国内近几年才开发成熟，且能量产化的专业技术。DBC是利用高温加热将Al2O3与Cu板结合，其技术瓶颈在于不易解决Al2O3与铜交界面之间的微气孔问题，这使得该产品的量产能量与良率受到较大的挑战，直接影响覆铜基板的导热性能和可靠性能（耐高低温冲击性能）。而DPC技术则是直接镀铜技术，将Cu沉积于Al2O3基板之上，其工艺结合材料与薄膜工艺技术，起产品为近年最普遍使用的陶瓷散热基板。但是受限于工艺特性，其铜片剥离强度和可靠性（耐高低温冲击性能）却不十分理想，只能应用于低功率的电子器件。
我们推出的高可靠性（Hi-Rel）氮化硅、氮化铝陶瓷覆铜基板产品，是区别于，并优于DBC（陶瓷与铜直接键合技术）的一项开创性技术。关键技术在于：活性金属层，实现了无机陶瓷材料与高纯无氧铜的致密焊接，具有高抗剥离强度（＞15N/mm）,高耐热冲击性能。所有产品验证阶段，都经过了最严格的国军标GJB548B-2005-1010（条件C，-65℃↔+150℃)冷热循环测试。产品性能达到了国际同类产品前列。
公司高性能陶瓷基板具体具有以下特性：
1、更高的可靠性（耐高低温冲击性能）
2、更匹配的热膨胀系数.
3、更薄（＜25μm）、更牢、更低阻的活性金属焊接层
4、使用温度范围宽（-55-800℃）
5、绝缘性好（陶瓷击穿强度＞15KV/mm）
6、高频损耗小
7、不含有机成分，耐宇宙射线，在航空航天方面可靠性高，使用寿命长
8、采用进口高纯无氧铜，氧含量＜0.003%，杂质含量＜0.03%，更好的载流导热性能
9、基板的可焊性好
10、通过对铜线路表面进行的特殊处理，可以满铝线超声键合的工艺及强度要求。